2026-01-05 : 뉴스 12건, 기술자료 6건 아래 링크 참고하시기 바랍니다. 다른 자료는 Search에서 키워드 입력하여 검색 가능합니다.
※ 기술자료는 " Perplexity AI"를 이용하여 3줄로 " 내용 요약 " 정리 하였습니다.
| ♥ 반도체 뉴스 (12건) | ||||
| NO | 키워드 | 제목 | 등록일 | 출처 |
| N1 | 뉴스 모음 | 한국 반도체 산업협회 - 데일리 뉴스 모음 | 2026-01-05 6:30 | KSIA |
| https://www.ksia.or.kr/infomationKSIA.php?data_tab=1 | ||||
| N2 | 뉴스 모음 | 정보통신기획평가원 > 지식정보 > 디지털 동향정보 | 2026-01-02 | 정보통신기획 평가원 |
| https://www.iitp.kr/web/lay1/program/S1T14C60/itfind/list.do?cpage=1&rows=10&searchTarget=all | ||||
| N3 | 주간 뉴스 | [제 20260104-AI-01호] 2025년 1월 1주차 글로벌 반도체산업 관련 기사 분석 | 2026-01-04 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제-20260104-ai-01호-2025년-1월-1주차-글로벌-반도체산업-관련-기사-분석 | ||||
| N4 | 뉴스 모음 | [제20260102-TE-01호] 2026년 1월 2일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-03 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260102-te-01호-2026년-1월-2일-반도체-장비-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N5 | 뉴스 모음 | [제20260102-TM-01호] 2026년 1월 2일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-03 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260102-tm-01호-2026년-1월-2일-반도체-제조-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N6 | 뉴스 모음 | [제20260102-TI-01호] 2026년 1월 2일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-03 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260102-ti-01호-2026년-1월-2일-글로벌-반도체-산업-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N7 | 뉴스 모음 | [제20260101-TT-01호] 2026년 1월 1일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-02 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260101-tt-01호-2026년-1월-1일-반도체-기술-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N8 | 뉴스 모음 | [제20260101-TE-01호] 2026년 1월 1일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-02 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260101-te-01호-2026년-1월-1일-반도체-장비-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N9 | 뉴스 모음 | [제20260101-TM-01호] 2026년 1월 1일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-02 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260101-tm-01호-2026년-1월-1일-반도체-제조-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N10 | 뉴스 모음 | [제20260101-TI-01호] 2026년 1월 1일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-02 9:00 | SPTA Times |
| https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260101-ti-01호-2026년-1월-1일-글로벌-반도체-산업-관련-주요-뉴스-요약 | ||||
| N11 | 뉴스 모음 | 반도체/메모리/GPU 소식 모음. 램값 또 오름, GPU 또 부족, 2nm 많이 씀 | 2026-01-05 0:36 | Gigglehd.com |
| https://gigglehd.com/gg/hard/18321044 | ||||
| N12 | 뉴스 모음 | Chip Industry Week in Review (영문) > In-space IC materials; copper price surges; TSMC’s 2nm volume production; Chinese hybrids skirt EU tariffs; SMIC’s takeover; wafer fab capacity; HBM, HBF; China’s mandate on IC equipment; Samsung and SK hynix get a pass; flying cars advance; agentic AI in chip design; NVMe device security; robotaxi wars; top tech talks. |
2025-01-02 | Semiconductor Engineering |
| https://semiengineering.com/chip-industry-week-in-review-110/ | ||||
| ♥ 반도체 기술 자료 (6건) | ||||
| NO | 키워드 | 제목 / 내용 요약 | 등록일 | 출처 |
| T1 | Warpage, 2.5D | 내용 요약 > 복잡한 2.5D/3D IC의 휨(Warpage) 시뮬레이션 개선: 2.5D/3D IC 패키지는 얇은 적층 구조와 복잡한 재료 경계 때문에 제조 시 휨 현상 예측이 중요하며, 기존의 유한 요소법(FEM) 기반 시뮬레이션은 높은 계산 비용과 육면체 메쉬 생성의 어려움이 있었습니다. . 새로운 메쉬 알고리즘 및 이론 적용: 이 문제를 해결하기 위해, 복잡한 구조에 효율적인 Sweep 육면체 메쉬(Sweep Hexahedral Meshes)를 생성하는 새로운 알고리즘과 이를 기반으로 **2차원 층별 판 이론(2-D Layerwise Plate Theory)**을 수정하여 시뮬레이션 수렴 속도를 더욱 개선했습니다. . 획기적인 효율성 증명: 제안된 방법은 상용 소프트웨어인 Ansys Workbench와 비교했을 때, 메쉬 생성 시간을 74.7배에서 221배까지 대폭 줄이고, 메쉬 노드 개수도 5.26배에서 18.4배까지 감소시켜 복잡한 2.5D/3D IC 구조의 휨 해석 효율성과 정확도를 혁신적으로 높였음을 입증했습니다. |
2025-12-03 | ResearchGate |
| https://www.researchgate.net/publication/398284932 | ||||
| T2 | Warpage, 2.xD | Finite Element Analysis of Wafer Level Warpage with Respect to the Materials of Through-via Layer during RDL Process in 2.xD Package > Journal of Microelectronics and Packaging Society, 31권 4호, 64–70 (2024) > 2.xD Package의 RDL공정 중 Through-via Layer 소재에 따른 Wafer Level Warpage의 유한요소해석 > 이 논문은 2.xD 패키지용 인터포저·브리지의 RDL 공정에서, 스루비아 층(through-via layer) 재료(EMC, Si, glass)와 RDL 적층 수에 따라 웨이퍼 레벨 워페이지가 어떻게 달라지는지를 유한요소해석(FEA)으로 비교·분석한다. 8인치 웨이퍼의 1/4 영역을 Si 캐리어+through-via layer+RDL(폴리이미드·Cu 혼합) 복합 쉘 모델로 구성하고, 200 ℃에서 25 ℃로 냉각하는 열 하중 조건에서 단층 및 다층 RDL을 해석한 결과, 열팽창계수(CTE)와 탄성계수 차이에 따라 EMC > glass > Si 순으로 워페이지가 커지며, RDL 두께·층수가 증가할수록 선형적으로 워페이지가 증가하는 것이 확인되었다. 이를 통해 Si 캐리어 유지, through-via 층 재료 선택, RDL 두께·층수 최적화가 워페이지 최소화를 위한 핵심 설계 인자임을 제시하며, 실제 측정(shadow moiré)와 약 94.5% 일치하는 기준 FEA 모델을 구축해 설계 단계에서 공정 불량·신뢰성 리스크를 사전 평가할 수 있음을 보인다. |
2025-02-10 | 마이크로전자 및 패키징학회지 |
| https://doi.org/10.6117/kmeps.2024.31.4.064 | ||||
| T3 | HBM | " Managing High Bandwidth Memory is a Parallel Scheduling Problem " > 문제의 재정의 및 목표 설정: 고대역폭 메모리(HBM)와 DRAM 계층 구조 관리를 전통적인 메모리 관리 문제가 아닌 병렬 스케줄링 문제로 명확히 정의하고, 기존의 Makespan 최소화 목표 대신 총/평균 응답 시간 최소화 목표에 초점을 맞췄습니다. . 새로운 모델 및 변환 기법 제시: 메모리 관리를 스케줄링 문제로 해결하기 위해 세미-노멀(semi-normal) 모델이라는 새로운 온라인 스케줄링 모델을 제안하고, 이 모델의 경쟁적 알고리즘을 HBM/DRAM 관리 정책으로 자동 변환하는 블랙박스 기법을 개발했습니다. . 경쟁적 정책 개발: 세미-노멀 모델에 적용한 라운드 로빈(Round Robin) 변형 알고리즘이 HBM/DRAM 관리 문제에서 평균/총 완료 시간 목표에 대해 경쟁적임을 증명하여, 실제 시스템에 적용 가능한 효율적인 관리 정책을 제시했습니다. |
2025-07-16 | ACM Digital Library |
| https://dl.acm.org/doi/10.1145/3694906.3743336 | ||||
| T4 | DRAM | Verifying 1T1C DRAM Operation through the Optimization of Cell Transistor Design > Transactions on Semiconductor Engineering (TSE), Vol. 3, No. 3, Sep. 2025 > 이 논문은 Sentaurus TCAD와 mixed‑mode 시뮬레이션을 이용해 DRAM 1T1C 셀의 셀 트랜지스터 구조(기존 planar 대비 RCAT, BCAT)를 비교·최적화하고, 도핑·접합 깊이·게이트 절연막 두께 변화에 따른 Vth, SS, 온/오프 전류, DIBL 특성을 정량 평가한다. RCAT은 채널을 recess하여 유효 채널 길이를 늘림으로써 단채널 효과(SCE)를 억제하고, BCAT은 게이트–드레인 중첩을 줄여 GIDL 누설 전류를 저감하는 구조로 제안되며, 1T1C 회로 레벨 read/write 과도 응답과 retention 시뮬레이션을 통해 실제 동작 가능성과 데이터 보존 특성 향상 가능성을 검증한다. 이를 통해 고집적·소자 스케일링 환경에서 1T1C DRAM의 누설 전류 및 신호 대 잡음비를 개선하고, 차세대 DRAM의 신뢰성 확보에 기여할 수 있는 셀 트랜지스터 설계 방향을 제시한다. |
2025-10-24 | 반도체공학회 논문지 |
| https://doi.org/10.22895/tse.2025.0008 | ||||
| T5 | 중국, AI | 중국의 AI굴기는 2026년에도 계속된다 > 중국은 화웨이·SMIC·CXMT를 중심으로 GPU·AI SoC·HBM·EDA·EUV 등 핵심 공급망을 국산화하며, 7nm급 AI 칩과 HBM3 양산까지 목표로 AI 인프라 자립을 가속하고 있다. 풍부한 저가 전력과 초고압(UHV) 송전망, 에너지저장장치(ESS) 투자 확대를 바탕으로 AI 데이터센터 전력 수요를 흡수하면서 2027년까지 풍력·ESS 등이 대형 성장 섹터로 부각될 것으로 예상된다. BAT·화웨이 등 중국 빅테크와 AI 인프라·전력·ESS value chain 기업들의 실적과 CAPEX 성장이 이어지며, 2026년에도 중국 AI는 기술 자립과 국산화 진전을 축으로 증시 핵심 테마 지위를 유지할 것으로 전망된다. |
2025-11-14 | 하나증권 |
| https://www.hanaw.com/main/research/research/download.cmd?bbsSeq=1284965&attachFileSeq=1&bbsId=&dbType=&bbsCd=4002 | ||||
| T6 | 중국, AI | 중국 빅테크, AI 칩 생태계 확장 가속화 > 중국 빅테크는 알리바바·텐센트·바이두·샤오미 등을 중심으로 자체 AI 칩(쿤룬, 밍위, 수안위 등) 개발과 국산 GPU 도입을 확대하며 AI 칩 생태계를 빠르게 키우고 있다. 엔비디아 제재·H20/H200 규제 환경 속에서 화웨이 Ascend와 SMIC, CXMT 등이 연산칩·파운드리·HBM에서 역할을 분담하며 2026년 이후 연산력·데이터센터·단말기까지 수직계열화를 강화하는 흐름이다. Hana China Weekly는 AI 칩 국산화와 함께 전기차·배터리·ESS, 인터넷 플랫폼 등과 연계된 투자 아이디어를 제시하며, 중국 AI 칩 생태계 확장이 중장기 핵심 투자 테마가 될 것으로 본다. |
2026-01-02 | 하나증권 |
| https://www.hanaw.com/main/research/research/download.cmd?bbsSeq=1285453&attachFileSeq=1&bbsId=&dbType=&bbsCd=1260 | ||||