2026-01-21 : 뉴스 8건, 기술자료 7건 아래 링크 참고하시기 바랍니다. 다른 자료는 Search에서 키워드 입력하여 검색 가능합니다.
※ 기술자료는 " Perplexity AI"를 이용하여 3줄로 " 내용 요약 " 정리 하였습니다.
| ♥ 반도체 뉴스 (8건) | |||||
| NO | 키워드 | 제목 | 등록일 | 출처 | URL |
| N1 | 뉴스 모음 | 한국 반도체 산업협회 - 데일리 뉴스 모음 | 2026-01-21 6:30 | KSIA | https://www.ksia.or.kr/infomationKSIA.php?data_tab=1 |
| N2 | 뉴스 모음 | ITFIND > 최신동향 - 오늘의 뉴스 | 2026-01-20 9:00 | ITFIND | https://www.itfind.or.kr/trend/todayNews.do |
| N3 | 뉴스 모음 | [제20260119-TT-01호] 2026년 1월 19일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-20 9:00 | SPTA Times |
https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260119-tt-01호-2026년-1월-19일-반도체-기술-관련-주요-뉴스-요약 |
| N4 | 뉴스 모음 | [제20260119-TE-01호] 2026년 1월 19일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-20 9:00 | SPTA Times |
https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260119-te-01호-2026년-1월-19일-반도체-장비-관련-주요-뉴스-요약 |
| N5 | 뉴스 모음 | [제20260119-TI-01호] 2026년 1월 19일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약 | 2026-01-20 9:00 | SPTA Times |
https://www.sptatimeskorea.com/post/제20260119-ti-01호-2026년-1월-19일-글로벌-반도체-산업-관련-주요-뉴스-요약 |
| N6 | 뉴스 모음 | 주간뉴스 1/19 - 바틀렛레이크, GPU 공급, 부품 가격 인상, 미국이 또 관세, 이란 인터넷 차단, HDMI 포트 가격, 테슬라 FSD | 2026-01-20 7:06 | Gigglehd.com | https://gigglehd.com/gg/ggnews/18376261 |
| N7 | 중국 반도체 장비 생태계 |
HBM 양산 앞둔 中… 반도체 장비 생태계 구축 '사활' > CXMT, 올해 HBM3 양산 앞둬 > HBM 장비 美 규제에 수급난 > 자체 생태계 구축에 '고삐' |
2026-01-20 6:00 | 조선일보 | https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/01/20/MIR3LREZY5HBBJFOUUCULBUFOA/ |
| N8 | Micron, 투자 | 마이크론, DRAM 생산 확대 위해 PSMC 팹에 18억 달러 투자 | 2026-01-20 10:43 | QUASARZONE | https://quasarzone.com/bbs/qn_hardware/views/1954787 |
| ♥ 반도체 기술 자료 (7건) | |||||
| NO | 키워드 | 제목 / 내용 요약 | 등록일 | 출처 | URL |
| T1 | 3D Integration, Edge AI | 3D Integration Technology and Near-Memory Computing for Edge AI : PhD Thesis, Arturo Prieto (182페이지) > 인공지능 사물인터넷(AIoT) 시대에는 로컬 디바이스에서의 분산 처리가 점점 더 중요해지고 있다. 이는 중앙 서버와의 데이터 송수신을 줄이려는 필요성에서 비롯되었으며, 개인 정보 보호와 지연(latency) 문제에 대한 우려로 인해 AI 애플리케이션을 엣지 디바이스에서 직접 처리하는 방향이 부상하고 있다. 그러나 이러한 애플리케이션의 연산 요구는 메모리와 에너지 제약이 있는 엣지 디바이스의 처리 능력 향상을 요구한다. 본 논문에서는 엣지 AI 구현을 개선하기 위한 두 가지 접근 방식—기술 통합(technology integration)과 하드웨어 아키텍처 설계(hardware architecture design)—을 중심으로 해결책을 평가하였다. . 기술 통합을 통한 고성능 구현은 주로 트랜지스터의 크기를 축소(scaling)하는 데 초점을 맞추어 왔다. 그러나 제조 공정은 점점 더 고비용화되고 있으며, 새로운 기술적 돌파구 개발에도 여러 한계가 존재한다. 이에 대한 대안으로, 반도체 구성 요소를 3D 상호연결(3D interconnection)을 통해 적층하는 ‘3차원 통합’(third dimension) 기술이 주목받고 있다. 여러 기술 중 3D 순차 통합(3D Sequential Integration, 3DSI)은 3D 콘택(contacts)의 소형 피치를 가능하게 하며, 고집적 회로(high-integration circuit)를 구현할 수 있다. 본 연구에서는 3DSI 공정을 기반으로 설계 및 특성화된 표준 셀 라이브러리를 구축하였으며, 이는 디지털 설계에서 높은 집적도를 위한 핵심적인 논리 셀들을 포함하고 있다. . 엣지 AI의 기반이 되는 집적회로(IC) 설계는 메모리 및 컴퓨팅 자원의 향상을 통해 플랫폼의 연산 능력을 강화하는 데 중점을 둔다. 기존의 컴퓨팅 아키텍처는 컴퓨팅 유닛과 메모리 유닛을 별도의 독립된 요소로 구분하는 폰 노이만(von Neumann) 구조를 기반으로 한다. 이에 비해, 근접 메모리 컴퓨팅(Near-Memory Computing, NMC)은 연산을 메모리 근처로 이동시켜 효율을 높이는 대안적 접근 방식으로 제시된다. NMC는 기존 SRAM의 저수준 구조를 침범하지 않으면서도 하드웨어 가속을 위한 메모리 대역폭을 향상시킨다. 또한 연산 집중형 AI 작업을 처리할 수 있도록 맞춤형 하드웨어 가속기를 자원 제약 플랫폼에 통합함으로써 성능을 확장하였다. 아울러 설계 아키텍처의 모듈화를 통해 유연성도 확보하였다. . 제안된 아키텍처들은 엣지 디바이스에 통합된 AI 하드웨어 가속기의 성능을 강조하는 프로그램을 통해 평가되었으며, 이를 통해 소프트웨어와 하드웨어의 공동 설계(co-design)의 중요성이 입증되었다. 본 논문의 주요 기여는 3DSI 기반 회로 설계 및 NMC 아키텍처를 중심으로, 성능(performance), 에너지 효율(energy efficiency), 그리고 면적 효율(area efficiency)을 종합적으로 평가한 데 있다. |
2026-01-14 | LUND University |
https://portal.research.lu.se/files/233355086/PhD_Thesis_Arturo_Prieto.pdf |
| T2 | 6대 전략 산업, 12대 신산업, 초격차 스타트업 프로젝트 |
6대 전략 산업-12대 신산업 분야 「초격차 스타트업 프로젝트」 ‘26년 모집 공고 (신산업기술창업과) > 6대 전략 산업-12대 신산업 분야 「초격차 스타트업 프로젝트」 ‘26년 모집 공고 - 2026년 ｢초격차 스타트업 프로젝트｣ 사업 12월 29일 신규 모집 공고 - ’23년부터 사업을 통해 유니콘 3개사, 코스닥 상장 14개사 등 성과 창출 - 6대 전략 산업-12대 신산업 분야 신규 초격차 스타트업 120개사 공모 - 선정 스타트업에 기술사업화·R&D 자금, 개방형 혁신, 투자유치 등 지원 |
2025-12-26 | 중소벤처 기업부 |
https://share.google/sBtnRxdu2TKfHl5vC |
| T3 | 반도체 분야, 신규 지원대상 연구개발 과제 공고 |
2026년도 반도체 분야 신규 지원대상 연구개발과제 공고 > 2026년도 반도체 분야 신규 지원대상 연구개발과제를 다음과 같이 공고하오니 수행하고자 하는 자는 신청하여 주시기 바랍니다. 첨부파일 : 아래아한글 파일 2026년도 반도체 분야 신규 지원대상 연구개발과제 공고.hwp [116.2 KB] ZIP 파일붙임 01. 신규지원 대상 연구개발과제 안내문.zip [751 KB] |
2026-01-13 | 산업통상부 | https://www.motir.go.kr/kor/article/ATCLc01b2801b/70751/view |
| T4 | Hybrid Bonding, Heterogeneous Integration |
Inverse Hybrid Bonding with Metal Oxide Framework as Infill for Heterogeneous Integration, Master Thesis (105페이지) > 다음은 요청하신 영문 학위 논문의 한국어 번역입니다. 이 논문은 이종 집적(heterogeneous integration)을 위한 새로운 미세 피치 다이-투-다이(D2D) 및 다이-투-웨이퍼(D2W) 본딩 방식으로서 Inverse Hybrid Bonding (IHB) 을 제안한다. IHB는 두 단계로 구성되며, (1) I/O 연결을 위해 직접 구리 본딩(direct copper bonding) 을 수행하고, (2) 금속 유기 골격체(Metal Oxide Framework, MOF) 의 ALD-CVD 증착을 통해 인필(infill)을 형성한다. 본딩 후 인필 공정은 미세 피치 D2D/D2W 본딩 프레임워크에서 요구되는 극한의 입자 제어 요구 사항을 완화할 수 있는 잠재력을 가진다. 또한, 점성이 높은 에폭시 기반의 기존 언더필(underfill) 방식과 달리, ALD-CVD 인필 증착 공정에서는 기체 전구체(precursors)와 반응물을 사용하여 균일하고 기공이 없는(conformal, void-free) 인필을 형성할 수 있으며, 이를 통해 최소한의 다이-기판 간격(die-to-substrate gap) 으로 공정을 수행할 수 있다. 본 연구에서는 먼저 포름산(formic acid) 전처리를 이용한 직접 Cu-Cu 열압착 본딩(thermocompression bonding) 을 300°C에서 구현하였다. 본딩 품질은 I/O 저항 및 전단 강도(shear strength) 측정을 통해 평가되었다. 또한, 낮은 온도에서 Cu-Cu 본딩을 달성하기 위한 루테늄(Ru) 피막(passivation capping) 의 적용 효과도 함께 연구되었다. IHB의 본딩 후 인필 단계에서는 알루미늄 산화물(Al₂O₃) 과 ZiF8 MOF 두 가지 재료가 분석되었다. 일련의 실험을 통해 ALD 공정 매개변수가 인필 면적 커버리지(area coverage)에 미치는 영향을 조사하였고, 이를 기반으로 ALD/CVD 인필 공정을 최적화하여 5 mm × 5 mm의 유효 본딩 영역과 1 µm의 다이-기판 간격을 갖는 IHB 시제품을 성공적으로 구현하였다. 형성된 인필 재료는 커버리지와 패키지의 기계적 강도에 미치는 영향을 기준으로 특성화되었다. 마지막으로, 미세 피치 응용을 위한 IHB의 현재 진행 상황과 향후 연구 방향에 대해 논의하였다. |
2024-06-11 | Georgia Institute of Technology | https://share.google/jwwNDVKJD2KzYucOQ |
| T5 | Advenced Packaging, Panel Level Packaging, PLP |
Packaging is Shaping Future Electronics > 마이크로일렉트로닉스 집적은 와이어본딩에서 플립칩, TSV 기반 2.5D/3D, 칩렛 및 고밀도 인터포저로 진화하며 패키징이 시스템 성능을 좌우하는 핵심 기술로 부상하고 있다. Fraunhofer IZM는 유기·유리·Si 기판, Through-X via, 서브마이크론 RDL, 웨이퍼·패널 레벨 패키징을 통해 AI·전력·광·RF 응용을 위한 초고집적·고신뢰 패키지 솔루션을 제공한다. 향후 대면적 패널 레벨 패키징과 디지털 공정 모니터링/ADK가 칩렛 기반 대형 AI 패키지의 비용·성능 최적화를 이끄는 주요 방향으로 제시된다. |
2025-06-11 | Fraunhofer IZM | https://share.google/7Y5vlzb9urfkX5VBX |
| T6 | 베라 루빈, HBM4, GDDR7 |
Memory Watch_더욱 확장되는 메모리의 AI 기여도 > 엔비디아의 베라 루빈·루빈 CPX·ICMSP 발표로 AI 컨텍스트 처리용 메모리·스토리지 계층이 고도화되고, HBM·DRAM뿐 아니라 SSD·NAND까지 수요와 중요성이 확대되는 구조임을 강조한 리포트다. DXI 지수는 주간 7.2% 상승했고, DDR4/DDR5 DRAM과 각종 NAND 현물가가 동반 강세를 보이며 2026년 메모리 시황 및 NAND 성장 기대를 키우는 흐름이다. 국내외 메모리·장비·소재 업체 주가 및 밸류에이션을 함께 제시하며, AI 인프라 TCO 개선을 위한 eSSD 확산과 고성능 스토리지 도입이 메모리 밸류체인 전반의 모멘텀으로 작용할 것이라고 본다. |
2026-01-12 | 유진투자증권 | https://share.google/QgU0oEjKdMhuD53OE |
| T7 | Memory, DRAM, SRAM |
Towards Memory Specialization-Case for Long-Term and Short-Term RAM > SRAM과 DRAM은 모두 더 이상 미세 공정으로의 스케일링이 진행되지 않으며, 바이트(또는 GB)당 비용을 줄일 수 있는 기술적 로드맵이 존재하지 않는다. 그 결과, 메모리는 이제 시스템 전체 비용의 대부분을 차지하게 되었다. 본 논문은 현재와 같은 단순한 메모리 계층 구조에서 벗어나, 애플리케이션별 접근 패턴을 활용하는 전문화된 메모리 아키텍처로의 패러다임 전환이 필요하다고 주장한다. 기존의 오프칩 DRAM과 온칩 SRAM에만 의존하지 않고, 특정 워크로드의 특성에 따라 성능 트레이드오프를 최적화할 수 있는 새로운 유형의 메모리를 시스템에 추가하는 방안을 상정한다. 이를 위해 운영체제(OS) 차원에서 명시적으로 지원할 가치가 있는 두 가지 새로운 메모리 클래스를 제안한다. . 장기 RAM(Long-term RAM, LtRAM): 수명이 길고 읽기 중심의 데이터를 위해 최적화된 메모리. . 단기 RAM(Short-term RAM, StRAM): 짧은 수명을 가지며 자주 접근되는 데이터를 위한 메모리. 이 논문은 이러한 메모리 클래스들을 구현할 수 있는 **기저 소자 기술(device technology)**을 탐색하고, 그들의 진화 방향과 신흥 워크로드 요구사항을 고려했을 때 기존 시스템 설계와의 통합 가능성을 논의한다. 또한 미래의 수요를 충족할 수 있는 보다 효율적이고 확장 가능한 컴퓨팅 시스템으로 발전하기 위해 해결해야 할 핵심 연구 과제들을 식별한다. |
2025-08-04 | arXiv | https://arxiv.org/pdf/2508.02992 |